TI, 미국 유타주 리하이에 신규 300mm 반도체 웨이퍼 팹 LFAB2 착공

기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합 운영 예정으로 2026년부터 생산 돌입할 것

텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다. 하비브 일란(Haviv Ilan) TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사를 비롯한 지역사회 주요 관계자들이 참석한 가운데 새로운 팹인 LFAB2의 착공식이 진행됐다.

LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합하여 운영될 예정이다. 두개의 TI 유타주 팹이 완공된 후에는 매일 수천만 개의 아날로그 칩과 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

TI는 지난 2월에 유타주에 110억 달러 투자 계획을 발표했으며, 이는 유타주 역사상 최대 규모의 경제 투자에 해당한다. LFAB2 건설로 약 800개의 TI 임직원 고용 효과 및 수천 개의 간접적인 일자리가 창출될 것으로 전망되며, 이르면 2026년에 첫 생산이 가능할 것으로 예상된다.